| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SGR15N40LTM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGR20N40LTF | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 Dis IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 ... | ||||||
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SGR20N40LTM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 Dis IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 ... | ||||||
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SGR5N60RUFTF | Fairchild Semiconductor | DPAK-3 | IGBT 晶体管 600V/5A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGR5N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | DPAK-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGR6N60UFTF | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 600V/3A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGR6N60UFTM | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS10N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS10N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/10A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS13N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/6.5A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS13N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/6.5A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGS23N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/12A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS23N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/12A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGS5N150UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 SGS10N60RUFD1TU | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500... | ||||||
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SGS5N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/5A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS5N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/5A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGS6N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/3A/w/FRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGS6N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V/3A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGU15N40LTU | Fairchild Semiconductor | I-PAK | IGBT 晶体管 SGU15N40LTU | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 ... | ||||||
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SGU20N40LTU | Fairchild Semiconductor | I-PAK | IGBT 晶体管 Dis IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 ... | ||||||
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