| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SGL50N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGL5N150UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
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SGL5N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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SGL60N90DG3M1TU | Fairchild Semiconductor | TO-264 | IGBT 晶体管 900V/60A/wFRD TO-264 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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SGL60N90DG3M2TU | Fairchild Semiconductor | TO-264 | IGBT 晶体管 900V/60A/wFRD TO-264 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：1.4 V，栅极—射极漏泄电流：+/- 500 nA，功率耗散：18... | ||||||
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SGL60N90DG3M3TU | Fairchild Semiconductor | TO-264 | IGBT 晶体管 900V 60a | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：1.4 V，栅极—射极漏泄电流：+/- 500 nA，功率耗散：18... | ||||||
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SGL60N90DG3TU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 900V/60A/wFRD TO-264 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 ... | ||||||
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SGL60N90DG3YDTU | Fairchild Semiconductor | TO-264-3 | IGBT 晶体管 900V/60A/wFRD TO-264 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 ... | ||||||
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SGL80N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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SGM2N60UFTF | Fairchild Semiconductor | SOT-223-4 | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGB02N120 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGB02N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB04N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB06N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB07N120 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGB10N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB10N60A | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB15N120 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGB15N60 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
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SGB15N60HS | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，零件号别名：SGB15N60HSATMA1 SG... | ||||||
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