| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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935132424310-T3N |
IPDiA
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0402 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132424347-T1N |
IPDiA
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0402 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132424347-T3N |
IPDiA
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0402 |
|
硅电容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132424410-T3N |
IPDiA
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0402 |
989 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 0402 1nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1000 pF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132424510-T3N |
IPDiA
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0402 |
963 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 0402 10nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132424522-T1N |
IPDiA
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0402 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 ... |
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935132424522-T3N |
IPDiA
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0402 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu |
|
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 ... |
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935132424533-T3N |
IPDiA
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0402 |
987 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 0402 33nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.033 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... |
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935132424547-T1N |
IPDiA
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0402 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 ... |
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935132424547-T3N |
IPDiA
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0402 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 0402 47nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... |
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935132424610-T1N |
IPDiA
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0402 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 100nF 0402 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132424610-T3N |
IPDiA
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0402 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 0402 100nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封... |
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935132425610-T3N |
IPDiA
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1206 |
1803 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 1206 100nF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封... |
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935132426610-T1N |
IPDiA
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0805 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132426610-T3N |
IPDiA
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0805 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132427710-T1N |
IPDiA
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1206 |
165 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 1uF 1206 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装... |
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935132427710-T3N |
IPDiA
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1206 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 1206 1uF BD 11V |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装形... |
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935132429733-T1N |
IPDiA
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1812 |
100 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132429733-T3N |
IPDiA
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1812 |
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硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... |
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935132723510-T1N |
IPDiA
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0201 |
190 |
硅电容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
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| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... |
