| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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935131424522-T3N | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935131424533-T3N | IPDiA | 0402 | 989 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 33nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.033 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... | ||||||
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935131424547-T1N | IPDiA | 0402 | 98 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935131424547-T3N | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935131424610-T3A | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0402 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424610-T3N | IPDiA | 0402 | 1850 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 100nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... | ||||||
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935131425610-T1N | IPDiA | 0603 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0603 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131425610-T3N | IPDiA | 1206 | 995 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 1206 100nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... | ||||||
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935131426610-T1N | IPDiA | 0805 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131426610-T3N | IPDiA | 0805 | 30 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0805 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131427710-T3N | IPDiA | 1206 | 1927 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 1206 1uF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C，封... | ||||||
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935131429733-T1N | IPDiA | 1812 | 100 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131429733-T3N | IPDiA | 1812 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131723510-T1N | IPDiA | 0201 | 100 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... | ||||||
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935131723510-T3N | IPDiA | 0201 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... | ||||||
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935131724547-T1N | IPDiA | 0402 | 80 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935131724547-T3N | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.047 uF，容差：15 %，电压额定值：30 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935132423510-T1N | IPDiA | 0201 | 200 | 硅电容器 HighTempSiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... | ||||||
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935132423510-T3N | IPDiA | 0201 | 硅电容器 HighTempSiliconCap 0201 10nF BD 11V | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... | ||||||
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935132424310-T1N | IPDiA | 0402 | 70 | 硅电容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... | ||||||
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