| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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93512442Y733-T1A | IPDiA | 1616 | 99 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... | ||||||
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93512442Y733-T3A | IPDiA | 1616 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... | ||||||
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93512542F610-T1A | IPDiA | 0404 | 100 | 硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... | ||||||
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93512542F610-T3A | IPDiA | 0404 | 90 | 硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：12 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... | ||||||
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93512542H622-T1A | IPDiA | 0505 | 100 | 硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... | ||||||
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93512542H622-T3A | IPDiA | 0505 | 100 | 硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：12 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250... | ||||||
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93512542S710-T1A | IPDiA | 1208 | 75 | 硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C，... | ||||||
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93512542S710-T3A | IPDiA | 1208 | 89 | 硅电容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：12 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 C，... | ||||||
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93512542Y733-T1A | IPDiA | 1616 | 100 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... | ||||||
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93512542Y733-T3A | IPDiA | 1616 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：3.3 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 250 ... | ||||||
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935131423510-T1N | IPDiA | 0201 | 100 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... | ||||||
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935131423510-T3N | IPDiA | 0201 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0201 10nF BD 11V | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424310-T1N | IPDiA | 0402 | 200 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424310-T3A | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424310-T3N | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：100 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424347-T1N | IPDiA | 0402 | 100 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424347-T3N | IPDiA | 0402 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：470 pF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424410-T3N | IPDiA | 0402 | 976 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 1nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1000 pF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424510-T3N | IPDiA | 0402 | 1869 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 0402 10nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935131424522-T1N | IPDiA | 0402 | 100 | 硅电容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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