| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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935121424410-T3N | IPDiA | 0402 | 145 | 硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 1nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1000 pF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935121424510-T3N | IPDiA | 0402 | 1837 | 硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 10nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.01 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935121424522-T1N | IPDiA | 0402 | 100 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935121424522-T3N | IPDiA | 0402 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.022 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 15... | ||||||
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935121424533-T3N | IPDiA | 0402 | 177 | 硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 33nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.033 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150... | ||||||
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935121424610-T3N | IPDiA | 0402 | 1757 | 硅电容器 LowProfileSiliconCap 0402 100nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... | ||||||
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935121425610-T3N | IPDiA | 0603 | 975 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 0603 100nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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935121427710-T3N | IPDiA | 1206 | 173 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 1206 1uF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C，... | ||||||
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93512142F610-T1A | IPDiA | 0404 | 198 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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93512142F610-T3A | IPDiA | 0404 | 硅电容器 EmbeddedSiliconCap 0404 100nF BD 11V | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 C... | ||||||
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93512142H622-T1A | IPDiA | 硅电容器 Emb'dSiliconCap 0505 220nF BD11V 100umThk | |||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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93512142H622-T3A | IPDiA | 0505 | 200 | 硅电容器 EmbeddedSiliconCap 0505 220nF BD 11V | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：5 V，温度系数：0.5 %，工作温度范围：- 55 C to + 150 ... | ||||||
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93512172C510-T1A | IPDiA | 硅电容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk | |||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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93512172C510-T3A | IPDiA | 硅电容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk | |||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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93512442F610-T1A | IPDiA | 0404 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... | ||||||
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93512442F610-T3A | IPDiA | 0404 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，... | ||||||
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93512442H622-T1A | IPDiA | 0505 | 100 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 220nF 0505 BV11 Al | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：0.22 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C... | ||||||
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93512442H622-T3A | IPDiA | 硅电容器 ETSC Embed'd Wirebnd Temp Silicon Cap | |||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：935.124.42H.622，... | ||||||
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93512442S710-T1A | IPDiA | 1208 | 95 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al | |
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装... | ||||||
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93512442S710-T3A | IPDiA | 1208 | 硅电容器 LoProfile SiliconCap 1uF 1208 BV11 Al | ||
| 参数：制造商：IPDiA，RoHS：是，电容：1 uF，容差：15 %，电压额定值：11 V，温度系数：1 %，工作温度范围：- 55 C to + 200 C，封装... | ||||||
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