| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TSMF1000 | Vishay Semiconductors | 2-SMD，Z形弯曲 | 红外发射源 5V 35mW 890nm 17 Deg | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C... | ||||||
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TSMF1020 | Vishay Semiconductors | 2-SMD，鸥翼 | 红外发射源 5V 35mW 890nm 17 Deg | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：890 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C... | ||||||
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TSMF1030 | Vishay Semiconductors | 2-SMD，轭形弯曲 | 红外发射源 5V 35mW 890nm 17 Deg | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C... | ||||||
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TSMF1040 | Vishay Semiconductors | 红外发射源 5V 35mW 890nm 17 Deg | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：25 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C... | ||||||
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TSMF3700-GS08 | Vishay Semiconductors | PLCC-2 | 红外发射源 60 Degree 160mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：60 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 55 ... | ||||||
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TSMF3710-GS08 | Vishay Semiconductors | PLCC-2 | 红外发射源 60 Degree 170mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：100 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 ... | ||||||
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TSML1000 | Vishay Semiconductors | 2-SMD，Z形弯曲 | 16,185 | 红外发射源 5V 35mW 940nm 12 Deg | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：7 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，... | ||||||
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TSML1020 | Vishay Semiconductors | 2-SMD，鸥翼 | 73,008 | 红外发射源 12 Degree 190mW | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：30 deg，辐射强度：7 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工... | ||||||
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TSML1030 | Vishay | 2-SMD，轭形弯曲 | 红外发射源 5V 35mW 940nm 12 Deg | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：7 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，... | ||||||
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TSML1040 | Vishay | 轴向 | 红外发射源 5V 35mW 940nm 12 Deg | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：7 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C，... | ||||||
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TSML3710-GS08 | Vishay Semiconductors | PLCC-2 | 红外发射源 60 Degree 170mW | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：60 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 C... | ||||||
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TSSF4500 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 22 Degree 35mW 870nm Side View | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：200 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40... | ||||||
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TSTA7100 | Vishay Semiconductors | TO-18-2 金属罐 | 841 | 红外发射源 5 Degree 180mW 875nm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：875 nm，辐射强度：50 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，封装形式：TO-18，包... | ||||||
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TSTA7300 | Vishay Semiconductors | TO-18-2 金属罐 | 红外发射源 12 Degree 180mW 875nm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：870 nm，辐射强度：20 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，封装形式：TO-18，包... | ||||||
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TSTA7500 | Vishay Semiconductors | TO-18-2 金属罐 | 4,923 | 红外发射源 30 Degree 180mW | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：875 nm，射束角：30 deg，辐射强度：6 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，封装... | ||||||
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TSTS7100 | Vishay Semiconductors | TO-18-2 金属罐 | 3,835 | 红外发射源 5 Degree 170mW 950nm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：50 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，封装形式：TO-18，包... | ||||||
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TSTS7300 | Vishay Semiconductors | TO-18-2 金属罐 | 1,404 | 红外发射源 12 Degree 170mW 950nm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：6.3 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，封装形式：TO-18，... | ||||||
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TSTS7500 | Vishay Semiconductors | TO-18-2 金属罐 | 1,123 | 红外发射源 30 Degree 170mW 950nm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：1.6 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，封装形式：TO-18，... | ||||||
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TSUS3400 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 IR Emitting Diode | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Bulk，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：5000，... | ||||||
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TSUS4300 | Vishay Semiconductors | 径向 | 红外发射源 5V 20mW 950nm 16 Deg | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：160 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 55... | ||||||
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