| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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GL528V | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | 红外发射源 THRU HOLE IRED 5mW 940nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，照明颜色：Infrared，安装风格：Throug... | ||||||
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GL537 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | 红外发射源 Thru hole IRED 6mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：+/- 25 deg，辐射强度：13 mW... | ||||||
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GL538 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | 红外发射源 Thru hole IRED 15mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：+/- 13 deg，辐射强度：30 mW... | ||||||
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GL560 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | 红外发射源 Thru hole IRED 5mW 940nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 21 deg，辐射强度：14 mW... | ||||||
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GL561 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | 红外发射源 Thru hole IRED 852-GL381 | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 13 deg，辐射强度：25 mW... | ||||||
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GL610T | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 0.7mW 950 nm SMT IRED | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：+/- 60 deg，最大工作温度：+ 8... | ||||||
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GL4100E0000F | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 Thru hole IRED 1mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 25... | ||||||
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GL4800E0000F | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 Thru hole thin IRED 30 0.7mW 950 nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：+/- 30 deg，最大工作温度：+ 8... | ||||||
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GL480E00000F | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 Thru hole IRED 0.7mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，射束角：+/- 13 deg，最大工作温度：+ 8... | ||||||
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GL480QE0000F | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 Hi rel version of GL480 | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 25... | ||||||
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GH04020B2A | Sharp Microelectronics | 径向，罐，3 引线（5.6mm，TO-18） | 红外发射源 Blue Laser Diode 20mW Integrated | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Bulk，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：1，... | ||||||
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F5E1 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2，金属罐 | 红外发射源 12mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... | ||||||
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F5E1_Q | Fairchild Semiconductor | TO-46 | 红外发射源 12mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... | ||||||
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F5E2 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2，金属罐 | 红外发射源 9mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... | ||||||
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F5E2_Q | Fairchild Semiconductor | TO-46 | 红外发射源 9mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... | ||||||
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F5E3 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2，金属罐 | 红外发射源 10.5mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 40，最大工作温度：+ 125 ... | ||||||
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F5E3_Q | Fairchild Semiconductor | TO-46 | 红外发射源 10.5mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，射束角：40 deg，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- ... | ||||||
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F5F1 | Fairchild Semiconductor | 径向，侧视图 | 红外发射源 DISC BY MFG 2/02 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，辐射强度：0.28 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作... | ||||||
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F5G1 | Fairchild Semiconductor | 径向，侧视图 | 红外发射源 DISC BY MOUSER 10/01 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：0.6 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温... | ||||||
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F5D1 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2 透镜顶部金属罐 | 红外发射源 12mW 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 10，最大工作温度：+ 125 ... | ||||||
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