| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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GL100MD0MP1 | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 940nm 3mW SMT IRED 1.5Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... | ||||||
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GL100MD1MP1 | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，辐射强度：0.95 mW/sr，最大工作温度：+ ... | ||||||
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GL100MN0MP | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 SMT IRED 10 940nm 3mW 2Kpcs (Side Mt.) | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10 deg，最大工作温度：+ 8... | ||||||
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GL100MN0MP1 | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 SMT IRED +- 10deg 940nm 3mW1.5Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30 C，封装形式... | ||||||
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GL100MN0MP1M | Sharp Microelectronics | SMD | 红外发射源 940nm 1-2.5mW SMT IRED 1.5Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... | ||||||
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GL100MN1MP | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 SMT IRED 10 940nm 6mW 2Kpcs (Side Mt.) | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 10 deg，最大工作温度：+ 8... | ||||||
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GL100MN1MP1 | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 30... | ||||||
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GL100MN3MP | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 2Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 9 deg，辐射强度：6 mW/s... | ||||||
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GL100MN3MP1 | Sharp Microelectronics | 2-SMD，无引线 | 红外发射源 940nm 6mW SMT IRED 1.5Kpcs | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 9 deg，辐射强度：6 mW/s... | ||||||
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GL380 | Sharp Microelectronics | T-1 | 红外发射源 GL380 4.5mW 950 nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：11 mW/sr，最大工作温度：+ 85... | ||||||
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GL381 | Sharp Microelectronics | T-1 | 红外发射源 GL381 8.5mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：20 mW/sr，最大工作温度：+ 85... | ||||||
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GL382 | Sharp Microelectronics | T-1 | 红外发射源 GL382 8.5mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，辐射强度：18 mW/sr，最大工作温度：+ 85... | ||||||
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GL390 | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 GL390 7mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：13 mW/sr，最大工作温度：+ 85... | ||||||
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GL390V | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 GL390V 9mW 950nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，辐射强度：16 mW/sr，最大工作温度：+ 85... | ||||||
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GL4910JE000F | Sharp Microelectronics | 径向 | 红外发射源 Side view IRED 850nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：850 nm，射束角：+/- 32 deg，最大工作温度：+ 6... | ||||||
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GL513F | Sharp Microelectronics | TO-18-2 金属罐 | 红外发射源 IRED 950 nm 2.88mW | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 4... | ||||||
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GL514 | Sharp Microelectronics | TO-18-2 金属罐 | 红外发射源 IRED 950 nm 5.35mW | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 4... | ||||||
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GL514A | Sharp Microelectronics | TO-18-2 金属罐 | 红外发射源 GL514A 950 nm 2.88mW | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：950 nm，最大工作温度：+ 125 C，最小工作温度：- 4... | ||||||
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GL527V | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | 红外发射源 Thru hole IRED 5mW 940nm | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，照明颜色：Infrared，安装风格：Throug... | ||||||
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GL528 | Sharp Microelectronics | T-1 3/4 | 红外发射源 GL528V | ||
| 参数：制造商：Sharp Microelectronics，产品种类：红外发射源，RoHS：是，封装形式：T-1 3/4，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：1... | ||||||
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