图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIR67-21C/L9/TR10 | Everlight | 红外发射源 Infrared LED | ||||
参数:制造商:Everlight,产品种类:红外发射源,RoHS:是,包装形式:Reel,照明颜色:Infrared,... | ||||||
SIR67-21C/TR8 | Everlight | 2-SMD,J 形引线 | 576 | 红外发射源 Infrared LED | ||
参数:制造商:Everlight,产品种类:红外发射源,RoHS:是,包装形式:Reel,照明颜色:Infrared,... | ||||||
SIR928-6C-F | Everlight | 径向 | 红外发射源 Infrared LED | |||
参数:制造商:Everlight,产品种类:红外发射源,RoHS:是,照明颜色:Infrared,... | ||||||
SNR-40636 | Lumex | 红外发射源 Pulsed Emitter with Driver | ||||
参数:制造商:Lumex,RoHS:是,最大工作温度:+ 100 C,最小工作温度:- 30 C,包装形式:Tube,正向电流:220 mA,正向电压:12 V,照明... | ||||||
SME2470-001 | Honeywell | 2-SMD,无引线 | 红外发射源 IR Emitting Diode | |||
参数:制造商:Honeywell,RoHS:是,波长:880 nm,射束角:24 deg,最大工作温度:+ 125 C,最小工作温度:- 55 C,封装形式:CSMD... | ||||||
SME2470-011 | Honeywell | 2-SMD,无引线 | 红外发射源 INFRARED SENSORS | |||
参数:制造商:Honeywell,RoHS:是,波长:880 nm,射束角:24 deg,最大工作温度:+ 125 C,最小工作温度:- 55 C,封装形式:CSMD... | ||||||
SME2470-021 | Honeywell | 2-SMD,无引线 | 红外发射源 IR Emitting Diode Glass Lens | |||
参数:制造商:Honeywell,RoHS:是,波长:880 nm,射束角:24 deg,最大工作温度:+ 125 C,最小工作温度:- 55 C,封装形式:CSMD... | ||||||
D8019N06T | Infineon Technologies | EUPEC | 红外发射源 INFRARED EMITTER 850 NM | |||
参数:制造商:Infineon,封装形式:EUPEC,照明颜色:Infrared,工厂包装数量:3,... | ||||||
CQX14 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2 透镜顶部金属罐 | 红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:否,照明颜色:Infrared,... | ||||||
CQX15 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2,金属罐 | 红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:940 nm,射束角:+/- 40,最大工作温度:+ 125 ... | ||||||
CQX15_Q | Fairchild Semiconductor | TO-46 | 红外发射源 5.4mW 1.7V IR LED | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:否,波长:940 nm,射束角:5.9 deg,最大工作温度:+ 125 C,最小工作温度:-... | ||||||
CQX16 | Fairchild Semiconductor | TO-46-2 透镜顶部金属罐 | 红外发射源 1.5mW 1.7V IR LED | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:否,照明颜色:Infrared,... | ||||||
CQY36N | Vishay Semiconductors | 径向,1.8mm(T-3/4) | 红外发射源 55 Degree 1.5mW | |||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:1.5 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,封装形式:T-3/4,... | ||||||
CQY37N | Vishay Semiconductors | 径向,1.8mm(T-3/4) | 4,535 | 红外发射源 GaAs IR EMIT DIODE | ||
参数:制造商:Vishay,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:950 nm,辐射强度:5 mW/sr,最大工作温度:+ 100 C,封装形式:T-3/4,包装... | ||||||
AA3528AF3C | Kingbright | 4-PLCC | 7,104 | 红外发射源 IR 940nm 120 deg Water Clr 3/8 mW/sr | ||
参数:制造商:Kingbright,产品种类:红外发射源,RoHS:是,封装形式:3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm,包装形式:Reel,正向电流:20... | ||||||
AA3528SF4C | Kingbright | 3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm | 红外发射源 880nm 120 DEGREE WATER CLEAR | |||
参数:制造商:Kingbright,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:880 nm,射束角:120 deg,辐射强度:3 mW/sr,最大工作温度:+ 85 ... | ||||||
AA3528SF4S-R | Kingbright | 2-PLCC | 3,385 | 红外发射源 2 mW/sr 120 deg IR 3.5x2.8mm | ||
参数:制造商:Kingbright,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:880 nm,射束角:120 deg,辐射强度:2 mW/sr,最大工作温度:+ 85 ... | ||||||
AA3528ASF4C-R | Kingbright | 3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm | 红外发射源 IR 880nm 120 deg Water Clr 2/8 mW/sr | |||
参数:制造商:Kingbright,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:880 nm,射束角:120 deg,辐射强度:2 mW/sr,最大工作温度:+ 85 ... | ||||||
AA3528F3C | Kingbright | 3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm | 480 | 红外发射源 Infrared 940nm Water Clear | ||
参数:制造商:Kingbright,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:940 nm,辐射强度:3 mW/sr,最大工作温度:+ 85 C,最小工作温度:- 4... | ||||||
AA3528F3S | Kingbright | 2-PLCC | 5,978 | 红外发射源 IR 940nm 120 deg Water Clear | ||
参数:制造商:Kingbright,产品种类:红外发射源,RoHS:是,波长:940 nm,射束角:120 deg,辐射强度:4 mW/sr,最大工作温度:+ 85C... |
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