| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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Q62702P5072 | OSRAM Opto Semiconductors | Side Looker | 红外发射源 | ||
| 参数：制造商：Osram Opto Semiconductor，波长：950 nm，辐射强度：2.5 mW/sr，最大工作温度：+ 85 C，最小工作温度：- 40 ... | ||||||
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QEC112 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 LED.LOW BIN QEC113 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 24，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QEC112_Q | Fairchild Semiconductor | T-1 | 红外发射源 LED.LOW BIN QEC113 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：否，波长：940 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- ... | ||||||
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QEC113 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 0.07mW 1.5V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 8，最大工作温度：+ 100 C... | ||||||
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QEC113_Q | Fairchild Semiconductor | T-1 | 红外发射源 0.07mW 1.5V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：8 deg，最大工作温度：+ 100 C... | ||||||
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QEC113C6R0 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 Gaas infr Emitting | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：940 nm，射束角：+/- 8，最大工作温度：+ 100 C... | ||||||
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QEC113C6R0_Q | Fairchild Semiconductor | T-1 | 红外发射源 Gaas infr Emitting | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：940 nm，射束角：8 deg，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 4... | ||||||
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QEC121 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 T1 A1GaAS LED 27mW | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QEC122 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 T1 A1Ga AS LED 39mW | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QEC122C4R0 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 Infrared EmittIng alGaas | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QEC122C6R0 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 Infrared EmittIng alGaas | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QEC123 | Fairchild Semiconductor | 径向，3mm 直径（T-1） | 红外发射源 T-1 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 16，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QEC123_Q | Fairchild Semiconductor | T-1 | 红外发射源 T-1 1.7V IR LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度：- 40 C，封装形式：T... | ||||||
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QEC313 | Fairchild Semiconductor | 径向，侧视图 | 红外发射源 LED.T-1 NARW ANGLE I/R | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，包装形式：Bulk，照明颜色：Infrared，安装风格：Throu... | ||||||
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QED121 | Fairchild Semiconductor | 径向，5mm 直径（T 1 3/4） | 红外发射源 T13-4 ALGAAS LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：过渡期间，波长：880 nm，射束角：+/- 18，最大工作温度：+ 1... | ||||||
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QED121_Q | Fairchild Semiconductor | T-1 3/4 | 红外发射源 T13-4 ALGAAS LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：40 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温度... | ||||||
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QED121A4R0 | Fairchild Semiconductor | 径向，5mm 直径（T 1 3/4） | 红外发射源 T13-4 ALGAAS LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，包装形式：Reel，照明颜色：Infrared，工厂包装数量：1200，... | ||||||
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QED122 | Fairchild Semiconductor | 径向，5mm 直径（T 1 3/4） | 红外发射源 T13-4 ALGAAS LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 18，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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QED122_Q | Fairchild Semiconductor | T-1 3/4 | 红外发射源 T13-4 ALGAAS LED | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，波长：880 nm，辐射强度：100 mW/sr，最大工作温度：+ 100 C，最小工作温... | ||||||
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QED122A3R0 | Fairchild Semiconductor | 径向，5mm 直径（T 1 3/4） | 红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：红外发射源，RoHS：是，波长：880 nm，射束角：+/- 18，最大工作温度：+ 100 ... | ||||||
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