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TE Connectivity / Holsworthy

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CRGV2512F402K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 402K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:402 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F412K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 412 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:412 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F422K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 422K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:422 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F453K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 453 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:453 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F464K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 464 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:464 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F487K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 487K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:487 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F4M02 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 4.02M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:4.02 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F4M22 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 4.22M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:4.22 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F4M42 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 4.42M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:4.42 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F4M64 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 4.64 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:4.64 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F4M75 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 4M75 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:4.75 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F4M87 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 4M87 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:4.87 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F4M99 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 4M99 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:4.99 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F511K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 511K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:511 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F51K1 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 51.1 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:51.1 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F549K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 549K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:549 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F54K9 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 54K9 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:54.9 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F562K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 652 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:562 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F576K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 576 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:576 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F57K6 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 57.6 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:57.6 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...

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