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TE Connectivity / Holsworthy

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CRGV2512F2M15 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 2.15M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:2.15 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F2M26 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 2M26 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:2.26 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F2M32 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 2M32 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:2.32 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F2M37 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 2.37M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:2.37 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F2M49 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 2M49 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:2.49 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F2M61 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 2M61 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:2.61 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F2M74 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 2.74M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:2.74 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F2M94 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 2M94 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:2.94 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F301K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 301K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:301 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F309K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 309K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:309 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F316K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 316K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:316 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F324K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 324K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:324 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F332K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 332K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:332 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F348K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 348K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:348 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F392K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 392K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:392 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F3M09 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 3.09M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:3.09 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F3M32 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 3M32 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:3.32 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F3M48 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 3M48 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:3.48 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F3M57 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 3M57 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:3.57 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F3M74 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 3M74 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:3.74 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...

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