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TE Connectivity / Holsworthy

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CRGV2512F1M58 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M58 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.58 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M62 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M62 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.62 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M69 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M69 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.69 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M74 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.74M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.74 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F1M82 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 1.82M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:1.82 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳...
CRGV2512F1M87 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M87 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.87 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F1M96 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 1M96 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:1.96 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:...
CRGV2512F200K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 200K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:200 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F205K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 205K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:205 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F221K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 221K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:221 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F226K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 226 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:226 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F237K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 237K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:237 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F243K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 243 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:243 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F249K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 249K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:249 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F255K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 255K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:255 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F261K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 261K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:261 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F267K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 267K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:267 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F274K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 274K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:274 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F294K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 294K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:294 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F2M1 TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 2M1 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:2.1 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...

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