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TE Connectivity / Holsworthy

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CRGV2010J620K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 620K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:620 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010J62K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 62K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:62 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外...
CRGV2010J680K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 680K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:680 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010J68K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 68K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:68 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外...
CRGV2010J820K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 820K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:820 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010J82K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 82K 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:82 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外...
CRGV2010J8M2 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 8M2 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:8.2 MOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2010J910K TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD 910 Ohms 5% 200ppm .50 Watt 2010
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:910 kOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,外壳代码 - ...
CRGV2010J9M1 TE Connectivity / Holsworthy 2010 (5025 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2010 5% 9M1 3000V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:9.1 MOhms,容差:5 %,功率额定值:500 mW (1/2 W),电压额定值:200 V,...
CRGV2512F102K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 102 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:102 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F107K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 107K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:107 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F10M TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 10.M Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:10 MOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代码...
CRGV2512F113K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 113K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:113 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F115K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 115K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:115 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F118K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 118 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:118 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F121K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 121 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:121 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F130K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 130K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:130 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F133K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD CRGV2512 1% 133K 1600V
参数:制造商:TE Connectivity,RoHS:是,电阻:133 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2...
CRGV2512F137K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 137 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:137 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...
CRGV2512F158K TE Connectivity / Holsworthy 2512 (6432 metric) 厚膜电阻器 - SMD 158 Ohms 1% 200ppm 2.0 Watt 2512
参数:制造商:TE Connectivity,电阻:158 kOhms,容差:1 %,功率额定值:1 W,电压额定值:200 V,外壳代码 - in:2512,外壳代...

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