| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NESG2046M33-A |
CEL |
3 针 SuperMiniMold（M33） |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：40 mA，功率耗散：130 mW，安装风格... |
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NESG2046M33-T3-A |
CEL |
3 针 SuperMiniMold（M33） |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Tape，... |
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NESG2101M05 |
CEL |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，工厂包装数量：50，... |
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NESG2101M05-A |
CEL |
M05 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2101M05-EVPW24 |
CEL |
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射频硅锗晶体管 For NESG2101M05-A Power at 2.4 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，... |
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NESG2101M05-EVPW24-A |
CEL |
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射频硅锗晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，... |
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NESG2101M05-T1 |
CEL |
M05 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：130 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... |
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NESG2101M05-T1-A |
CEL |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：0.5 W，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-343，包装形式：Reel，工厂包装数... |
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NESG2101M16 |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2101M16-A |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：130 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，工厂包装数量：50，... |
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NESG2101M16-A |
CEL |
SOT-343 |
120 |
射频硅锗晶体管 NPN High Frequency |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2101M16-T3-A |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 NPN High Frequency |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：190 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，包装形式：Reel，工厂包装数量：1... |
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NESG210719-A |
CEL |
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射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：100 mA，功率耗散：200 mW，安装风... |
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NESG210719-T1-A |
CEL |
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射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：0.2 W，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... |
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NESG2107M33-A |
CEL |
3 针 SuperMiniMold（M33） |
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射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：100 mA，功率耗散：130 mW，安装风... |
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NESG2107M33-T3-A |
CEL |
3 针 SuperMiniMold（M33） |
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射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：130 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M33，包装形式：Reel，工厂包装数量：1... |
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NESG250134-AZ |
CEL |
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164 |
射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：500 mA，功率耗散：1.5 W，安装风格... |
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NESG250134-EV09 |
CEL |
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射频硅锗晶体管 For NESG250134-AZ at 900 MHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，... |
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NESG250134-EV09-AZ |
CEL |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，... |
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NESG250134-EVPW04 |
CEL |
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射频硅锗晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，包装形式：Box，... |
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NESG250134-T1-AZ |
CEL |
3-PowerMiniMold |
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射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：2.8 V，集电极连续电流：500 mA，功率耗散：1.5 W，安装风格... |
