| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NESG2021M05 |
CEL |
M05 |
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射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M05-A |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，工厂包装数量：50，... |
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NESG2021M05-A |
CEL |
SOT-343 |
309 |
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2021M05-EVNF58 |
CEL |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 For NESG2021M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2021M05-T1-A |
CEL |
M05 |
134 |
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M05，包装形式：Reel，最大工作温度：+... |
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NESG2021M16 |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M16-A |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，工厂包装数量：50，... |
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NESG2021M16-A |
CEL |
SOT-343 |
296 |
射频硅锗晶体管 NPN High Frequency |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2021M16-T3-A |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 NPN High Frequency |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，包装形式：Reel，工厂包装数量：1... |
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NESG2030M04 |
CEL |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：80 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-343，... |
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NESG2030M04-A |
CEL |
M04 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：80 mW，安装风格：... |
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NESG2030M04-EVNF16 |
CEL |
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射频硅锗晶体管 For NESG2030M04 1.6G |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Box，... |
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NESG2030M04-T2-A |
CEL |
M04 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：80 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-343，包装形式：Reel，工厂包装数... |
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NESG2030M16 |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，工厂包装数量：500，... |
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NESG2031M05-A |
CEL |
SOT-343 |
250 |
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2031M05-EVNF58 |
CEL |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 For NESF2031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：否，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2031M05-T1-A |
CEL |
SOT-343 |
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射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-343，包装形式：Reel，最大工作... |
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NESG2031M16 |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2031M16-A |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，工厂包装数量：50，... |
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NESG2031M16-A |
CEL |
SOT-343 |
143 |
射频硅锗晶体管 NPN High Frequency |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：35 mA，功率耗散：175 mW，安装风格... |
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NESG2031M16-T3-A |
CEL |
M16 |
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射频硅锗晶体管 NPN High Frequency |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：M16，包装形式：Reel，工厂包装数量：1... |
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NESG204619-A |
CEL |
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55 |
射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V，集电极连续电流：40 mA，功率耗散：200 mW，安装风格... |
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NESG204619-T1-A |
CEL |
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射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：175 mW，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... |
