Lattice
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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LCMXO1200C-3M132I | Lattice | 132-CSPBGA（8x8） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：10... | ||||||
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LCMXO1200C-3MN132C | Lattice | 132-CSPBGA（8x8） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：10... | ||||||
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LCMXO1200C-3MN132I | Lattice | 132-CSPBGA（8x8） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：420 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：10... | ||||||
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LCMXO1200C-3T100C | Lattice | 100-TQFP（14x14） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 IO 1.8/ 2.5/3.3V -3 Spd | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：73... | ||||||
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LCMXO1200C-3T100I | Lattice | 100-TQFP（14x14） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 IO 1.8/ 2.5/3.3V -3 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：73... | ||||||
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LCMXO1200C-3T144C | Lattice | 144-TQFP（20x20） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：11... | ||||||
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LCMXO1200C-3T144I | Lattice | 144-TQFP（20x20） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：11... | ||||||
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LCMXO1200C-3TN100C | Lattice | 100-TQFP（14x14） | 1,317 | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTS 73 I/O | |
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：73，工作电源电压：1.8 V, ... | ||||||
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LCMXO1200C-3TN100I | Lattice | 100-TQFP（14x14） | 119 | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 73 I/O 1.8/2.5/3.3V IND | |
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：73，工作电源电压：1.8 V, ... | ||||||
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LCMXO1200C-3TN144C | Lattice | 144-TQFP（20x20） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTS 113 I/O | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：113，工作电源电压：1.8 V,... | ||||||
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LCMXO1200C-3TN144I | Lattice | 144-TQFP（20x20） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：500 MHz，延迟时间：5.1 ns，可编程输入/输出端数量：11... | ||||||
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LCMXO1200C-4B256C | Lattice | 256-CABGA（14x14） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：211，工作电源电压：1.8 V,... | ||||||
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LCMXO1200C-4B256I | Lattice | 256-CABGA（14x14） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：211，工作电源电压：1.8 V,... | ||||||
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LCMXO1200C-4BN256C | Lattice | 256-CABGA（14x14） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：211，工作电源电压：1.8 V,... | ||||||
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LCMXO1200C-4BN256I | Lattice | 256-CABGA（14x14） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 SPD | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：211，工作电源电压：1.8 V,... | ||||||
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LCMXO1200C-4FT256C | Lattice | 256-FTBGA（17x17） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 I/O 1.8/2.5/3.3V -4 Spd | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：211，工作电源电压：1.8 V,... | ||||||
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LCMXO1200C-4FT256I | Lattice | 256-FTBGA（17x17） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：550 MHz，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：21... | ||||||
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LCMXO1200C-4FTN256C | Lattice | 256-FTBGA（17x17） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：550 MHz，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：21... | ||||||
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LCMXO1200C-4FTN256I | Lattice | 256-FTBGA（17x17） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd I | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：是，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：550 MHz，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：21... | ||||||
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LCMXO1200C-4M132C | Lattice | 132-CSPBGA（8x8） | CPLD - 复杂可编程逻辑器件 1200 LUTs 101 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 Spd | ||
| 参数：制造商：Lattice，RoHS：否，存储类型：SRAM，大电池数量：600，最大工作频率：550 MHz，延迟时间：4.4 ns，可编程输入/输出端数量：10... | ||||||
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