Vishay
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Vishay Intertechnology, Inc.是纽约证券交易所(VSH)上市的财富1000强企业，全球最大的分离式半导体和无源电子元件制造商之一，分离式半导体诸如二极管、MOSFET和红外光电子等等；)无源电子元件诸如电阻器、电感器和电容器等等。这些元件适用于所有类型的电子设备和装备，涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、电力供应以及医疗市场等。Vishay的产品创新、成功的采集战略和“一站式”服务使其成为全球产业的佼佼者。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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20GAD10 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 20% 0.001uF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1000 pF，容差：20 %，电压额定值：2 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... | ||||||
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20GAD15 | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1500 pF，容差：20 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... | ||||||
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20GAD18 | Vishay | 瓷片电容器 E 75-564R20GAD18 | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1800 pF，容差：20 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... | ||||||
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20GAD22 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 20% 0.0022uF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2200 pF，容差：20 %，电压额定值：2 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... | ||||||
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20GAD27 | Vishay | 瓷片电容器 2700pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2700 pF，容差：20 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... | ||||||
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20GAD33 | Vishay | 瓷片电容器 3300pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：3300 pF，容差：20 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... | ||||||
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20GAD39 | Vishay | 瓷片电容器 3900pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：3900 pF，容差：20 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... | ||||||
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20GAD47 | Vishay | 瓷片电容器 4700pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：4700 pF，容差：20 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 D... | ||||||
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20GAD68 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 20% 0.0068uF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：6800 pF，容差：20 %，电压额定值：2 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... | ||||||
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20GAS10 | Vishay | 瓷片电容器 USE 75-564R20GAS10 | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.01 uF，容差：20 %，电压额定值：2 kV，工作温度范围：- 30 C to + 85 C，损耗因数 DF：... | ||||||
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20GASS10 | Vishay | 瓷片电容器 U 75-564R20GASS10 | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.01 uF，容差：20 %，电压额定值：2 kV，工作温度范围：- 25 C to + 105 C，损耗因数 DF... | ||||||
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20DKT50 | Vishay | 瓷片电容器 500pF 20KV +80/-20% | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：500 pF，容差：- 20 %, + 80 %，电压额定值：20 kV，工作温度范围：- 30 C to + 85 ... | ||||||
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20TSD10 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 10% 0.001uF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1000 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，端接类型：Ra... | ||||||
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20TSD15 | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1500 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vo... | ||||||
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20TSD18 | Vishay | 瓷片电容器 1800pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1800 pF，容差：10 %，电压额定值：20 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High V... | ||||||
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20TSD22 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 10% 0.0022uF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2200 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vo... | ||||||
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20TSD27 | Vishay | 瓷片电容器 2700pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：2700 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vo... | ||||||
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20TSD33 | Vishay | 瓷片电容器 3300pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：3300 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vo... | ||||||
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20TSD39 | Vishay | 瓷片电容器 3900pF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：3900 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vo... | ||||||
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20TSD47 | Vishay | 瓷片电容器 2000V 10% 0.0047uF | |||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：4700 pF，容差：10 %，电压额定值：2 kV，损耗因数 DF：2，端接类型：Radial，产品：High Vo... | ||||||
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