Vishay
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Vishay Intertechnology, Inc.是纽约证券交易所(VSH)上市的财富1000强企业,全球最大的分离式半导体和无源电子元件制造商之一,分离式半导体诸如二极管、MOSFET和红外光电子等等;)无源电子元件诸如电阻器、电感器和电容器等等。这些元件适用于所有类型的电子设备和装备,涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、电力供应以及医疗市场等。Vishay的产品创新、成功的采集战略和“一站式”服务使其成为全球产业的佼佼者。 |
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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30GAD33 | Vishay | 瓷片电容器 U 75-564R30GAD33 | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30GAD39 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.0039uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3900 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30GAD47 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.0047uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:4700 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30GAD68 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.0068uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:6800 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30GAD82 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.0082uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:8200 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30GAQ10 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 10pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:10 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:2... | ||||||
30GAQ12 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 12pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:12 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:2... | ||||||
30GAQ22 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 22pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:22 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:2... | ||||||
30GAQ27 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 27pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:27 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:2... | ||||||
30GAQ33 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 33pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:33 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:2... | ||||||
30GAQ47 | Vishay | 瓷片电容器 USE 75-564R30GAQ47 | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:47 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Volt... | ||||||
30GAQ56 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 56pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:56 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Volt... | ||||||
30GAQ68 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 68pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:68 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Volt... | ||||||
30GAS10 | Vishay | 瓷片电容器 3KV .01uF 20% RAD | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:0.01 uF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30LVD10 | Vishay | 瓷片电容器 1000PF 300VAC 20% | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:300 VAC,工作温度范围:- 25 C to + 125 C,端接类型... | ||||||
30LVD10BK | Vishay | 瓷片电容器 1000pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:300 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,端接类型... | ||||||
30LVD10RL | Vishay | 瓷片电容器 1000pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:300 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,端接类型... | ||||||
30LVD10SP1A | Vishay | 瓷片电容器 1000pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:300 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,端接类型... | ||||||
30LVD10XZ | Vishay | 瓷片电容器 1000pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:300 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,端接类型... | ||||||
30LVD15-320I | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:20 %,电压额定值:300 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,端接类型... |
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