Vishay
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Vishay Intertechnology, Inc.是纽约证券交易所(VSH)上市的财富1000强企业,全球最大的分离式半导体和无源电子元件制造商之一,分离式半导体诸如二极管、MOSFET和红外光电子等等;)无源电子元件诸如电阻器、电感器和电容器等等。这些元件适用于所有类型的电子设备和装备,涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、电力供应以及医疗市场等。Vishay的产品创新、成功的采集战略和“一站式”服务使其成为全球产业的佼佼者。 |
图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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440LQ47 | Vishay | 瓷片电容器 47pF R3L 10% X1, 400Vac/Y1,500Vac | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:47 pF,容差:10 %,电压额定值:400 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,损耗因数 D... | ||||||
440LQ68 | Vishay | 瓷片电容器 68pF X7R 10% X1, 400Vac/Y1,500Vac | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:68 pF,容差:10 %,电压额定值:400 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,损耗因数 D... | ||||||
30TSD10 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.001uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSD15 | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSD18 | Vishay | 瓷片电容器 1800pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1800 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSD22 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.0022uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSD27 | Vishay | 瓷片电容器 2700pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2700 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSD33 | Vishay | 瓷片电容器 3000V 20% 0.0033uF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSD68 | Vishay | 瓷片电容器 6800pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:6800 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo... | ||||||
30TSSD10 | Vishay | 瓷片电容器 1000pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD15 | Vishay | 瓷片电容器 1500pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD18 | Vishay | 瓷片电容器 1800pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1800 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD22 | Vishay | 瓷片电容器 2200pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD27 | Vishay | 瓷片电容器 2700pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2700 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD33 | Vishay | 瓷片电容器 3300pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD39 | Vishay | 瓷片电容器 3900pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3900 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD47 | Vishay | 瓷片电容器 4700pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:4700 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD56 | Vishay | 瓷片电容器 5600pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:5600 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TSSD68 | Vishay | 瓷片电容器 6800pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:6800 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF... | ||||||
30TST22 | Vishay | 瓷片电容器 220pF | ||||
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:220 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:... |
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