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Vishay

Vishay

Vishay Intertechnology, Inc.是纽约证券交易所(VSH)上市的财富1000强企业,全球最大的分离式半导体和无源电子元件制造商之一,分离式半导体诸如二极管、MOSFET和红外光电子等等;)无源电子元件诸如电阻器、电感器和电容器等等。这些元件适用于所有类型的电子设备和装备,涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、电力供应以及医疗市场等。Vishay的产品创新、成功的采集战略和“一站式”服务使其成为全球产业的佼佼者。
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点击查看440LQ47参考图片 440LQ47 Vishay 瓷片电容器 47pF R3L 10% X1, 400Vac/Y1,500Vac
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:47 pF,容差:10 %,电压额定值:400 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,损耗因数 D...
点击查看440LQ68参考图片 440LQ68 Vishay 瓷片电容器 68pF X7R 10% X1, 400Vac/Y1,500Vac
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:68 pF,容差:10 %,电压额定值:400 VAC,工作温度范围:- 30 C to + 125 C,损耗因数 D...
点击查看30TSD10参考图片 30TSD10 Vishay 瓷片电容器 3000V 20% 0.001uF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSD15参考图片 30TSD15 Vishay 瓷片电容器 1500pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSD18参考图片 30TSD18 Vishay 瓷片电容器 1800pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1800 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSD22参考图片 30TSD22 Vishay 瓷片电容器 3000V 20% 0.0022uF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSD27参考图片 30TSD27 Vishay 瓷片电容器 2700pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2700 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSD33参考图片 30TSD33 Vishay 瓷片电容器 3000V 20% 0.0033uF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSD68参考图片 30TSD68 Vishay 瓷片电容器 6800pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:6800 pF,容差:10 %,电压额定值:3 kV,损耗因数 DF:2,端接类型:Radial,产品:High Vo...
点击查看30TSSD10参考图片 30TSSD10 Vishay 瓷片电容器 1000pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1000 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD15参考图片 30TSSD15 Vishay 瓷片电容器 1500pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1500 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD18参考图片 30TSSD18 Vishay 瓷片电容器 1800pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:1800 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD22参考图片 30TSSD22 Vishay 瓷片电容器 2200pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2200 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD27参考图片 30TSSD27 Vishay 瓷片电容器 2700pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:2700 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD33参考图片 30TSSD33 Vishay 瓷片电容器 3300pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3300 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD39参考图片 30TSSD39 Vishay 瓷片电容器 3900pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:3900 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD47参考图片 30TSSD47 Vishay 瓷片电容器 4700pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:4700 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD56参考图片 30TSSD56 Vishay 瓷片电容器 5600pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:5600 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TSSD68参考图片 30TSSD68 Vishay 瓷片电容器 6800pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:6800 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF...
点击查看30TST22参考图片 30TST22 Vishay 瓷片电容器 220pF
参数:制造商:Vishay,RoHS:否,电容:220 pF,容差:20 %,电压额定值:3 kV,工作温度范围:- 25 C to + 105 C,损耗因数 DF:...

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