Vishay/Sfernice
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Vishay/Sfernice采用大多数现有技术生产固定和可变电阻器 。因其具备宽广东范围和制造标准方面、定制产品方面的能力，Vishay/Sfernice可覆盖所有市场领域的应用。其生产线包括编码器、电位器、电源电阻器、电阻器网络和阵列、SMD和薄膜电阻器。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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P0805Y1101BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1101 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1.1 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1101BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1101 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1.1 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1102BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1102BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1102BN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 B N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1102BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1102LB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 L B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.01 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1102PBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 P B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.02 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1102PNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1102 P N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11 kOhms，容差：0.02 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1103BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1103 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：110 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1103BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1103 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：110 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1103BN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1103 B N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：110 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1103BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1103 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：110 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805Y1111BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1111 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1.11 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805Y1111BBT100 | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1111 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1.11 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805Y1112WBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1112 W B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11.1 kOhms，容差：0.05 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值... | ||||||
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P0805Y1130BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1130 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：113 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1130BN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1130 B N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：113 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1130BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1130 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：113 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1132BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1132 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：11.3 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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