Vishay/Sfernice
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Vishay/Sfernice采用大多数现有技术生产固定和可变电阻器 。因其具备宽广东范围和制造标准方面、定制产品方面的能力，Vishay/Sfernice可覆盖所有市场领域的应用。其生产线包括编码器、电位器、电源电阻器、电阻器网络和阵列、SMD和薄膜电阻器。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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P0805K8251BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 8251 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：8.25 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值... | ||||||
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P0805K8661FBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 8661 F B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：8.66 kOhms，容差：1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805K8661FNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 8661 F N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：8.66 kOhms，容差：1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：2... | ||||||
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P0805K9100GB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9100 G B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：910 Ohms，容差：2 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805K9100GN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9100 G N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：910 Ohms，容差：2 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805K9193BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9193 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：919 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805K9193BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9193 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：919 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805K9313BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9313 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：931 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805K9313BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9313 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：931 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805K9530FNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 K 9530 F N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：953 Ohms，容差：1 %，温度系数：100 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805X0R00XB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 X 0R00 X B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：0 Ohms，容差：0.1 %，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 mW，系列：P，电压额定值：15... | ||||||
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P0805X0R00XBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 X 0R00 X B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：0 Ohms，容差：0.1 %，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 mW，系列：P，电压额定值：15... | ||||||
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P0805X0R00XBT100 | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 X 0R00 X B TR100 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：0 Ohms，容差：0.1 %，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 mW，系列：P，电压额定值：15... | ||||||
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P0805X0R00XN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 X 0R00 X N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：0 Ohms，容差：30 %，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 mW，系列：P，电压额定值：150... | ||||||
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P0805X0R00XNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 X 0R00 X N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：0 Ohms，容差：30 %，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 mW，系列：P，电压额定值：150... | ||||||
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P0805X0R00XNT100 | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 X 0R00 X N TR100 e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：0 Ohms，容差：30 %，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 mW，系列：P，电压额定值：150... | ||||||
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P0805Y1000BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1000 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1000BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1000 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1000BN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1000 B N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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P0805Y1000BNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 Y 1000 B N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 Ohms，容差：0.1 %，温度系数：10 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：20... | ||||||
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