Vishay/Sfernice
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Vishay/Sfernice采用大多数现有技术生产固定和可变电阻器 。因其具备宽广东范围和制造标准方面、定制产品方面的能力，Vishay/Sfernice可覆盖所有市场领域的应用。其生产线包括编码器、电位器、电源电阻器、电阻器网络和阵列、SMD和薄膜电阻器。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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P0805H1003FG | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1003 F G WP e4 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 kOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1003FGT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1003 F G TR e4 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 kOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1003FN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1003 F N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 kOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1003FNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1003 F N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：100 kOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004BBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 B B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004BN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 B N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004DB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 D B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.5 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004DBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 D B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.5 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004DG | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 D G WP e4 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.5 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004DNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 D N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：0.5 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200... | ||||||
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P0805H1004FBT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 F B TR | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 m... | ||||||
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P0805H1004FBT100 | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 F B TR100 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 m... | ||||||
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P0805H1004FN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 F N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 m... | ||||||
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P0805H1004FNT | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 F N TR e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 m... | ||||||
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P0805H1004FNW100 | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 F N WP100 e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 m... | ||||||
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P0805H1004GB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1004 G B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1 MOhms，容差：2 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：200 m... | ||||||
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P0805H1021BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1021 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1.02 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805H1021BN | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1021 B N WP e2 | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：1.02 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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P0805H1022BB | Vishay/Sfernice | 0805 (2012 metric) | 薄膜电阻器 - SMD P 0805 H 1022 B B WP | ||
| 参数：制造商：Vishay，电阻：10.2 kOhms，容差：0.1 %，温度系数：50 PPM / C，封装形式：0805 (2012 metric)，功率额定值：... | ||||||
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