Vishay
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Vishay Intertechnology, Inc.是纽约证券交易所(VSH)上市的财富1000强企业，全球最大的分离式半导体和无源电子元件制造商之一，分离式半导体诸如二极管、MOSFET和红外光电子等等；)无源电子元件诸如电阻器、电感器和电容器等等。这些元件适用于所有类型的电子设备和装备，涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、电力供应以及医疗市场等。Vishay的产品创新、成功的采集战略和“一站式”服务使其成为全球产业的佼佼者。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFZ24 | Vishay | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUD50N04-10P-E3 | Vishay | TO-252 | MOSFET 40V 20A 53.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SUD50N04-25P-E3 | Vishay | TO-252 | MOSFET 40V 20A 28.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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Si3493DV-T1 | Vishay | TSOP-6 | MOSFET 20V 7.0A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA811DJ-T1-E3 | Vishay | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIA913DJ-T1-E3 | Vishay | PowerPAK SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A 6.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5936DU-T1-GE3 | Vishay | PowerPAK? ChipFet 双 | 2,944 | MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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SI7601DN-T1-GE3 | Vishay | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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2N7002KL-TR1 | Vishay | MOSFET 60V 0.47A 0.8W | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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2N7002KL-TR1-E3 | Vishay | MOSFET 60V 0.47A 0.8W | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
