Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI3455ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 3.5A 2.0W 100mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3455DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3455DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 3.5A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 5.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 7.8A 3.3W 34mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 7.8A 3.3W 34mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456DDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 2,970 | MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456DDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 151,090 | MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 5.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3456DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 5.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3457BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3457BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3457CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 11,715 | MOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 32,695 | MOSFET 30V 5.1A 3.0W 74mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3457DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3457DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3458BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 6,000 | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 19,975 | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3458DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 60V 3.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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