Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3446ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 6.0A 3.2W 37mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI3446DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 5.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3446DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 5.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI3447BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 12V 5.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3447BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 12V 6.0A 2.0W 40mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3447CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3447CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
SI3447DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 5.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3447DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 5.2A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3451DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 2.8A 2.1W 115 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3451DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.8A 2.1W 11.5mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454ADV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 4.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 4.5A 0.06Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454ADV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 4.5A 2.0W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 4.2A 1.5W 50mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 4.2A 1.5W 50mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 3.4A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3454DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 3.4A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3455ADV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 2.7A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3455ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 2.7A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
82/219 首页 上页 [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] 下页 尾页
