Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI3430DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3433BDV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 5.6A 1.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3433BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 4.3A 2W 17 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3433BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3433CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 1 | MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3433DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 4.3A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3433DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 37 | MOSFET 20V 4.3A 2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3434DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 6.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3434DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 6.1A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3434DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.1A 2.0W 34mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI3435DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 4.8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3435DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 4.8A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3435DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI3437DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 2,021 | MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3437DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 17,489 | MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3438DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 3,001 | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3438DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 18,691 | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI3440DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 150V 1.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 954 | MOSFET 150V 1.5A 2.0W 375mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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