Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI6866DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6866DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6874EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6874EDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6875DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6875DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6880AEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8/4.7A 1.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6913DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6913DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 6,500 | MOSFET 12V 5.8A 1.14W 21mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6923DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.5A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6923DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.5A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6924AEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET H 2.5V (G-S) BATTERY SWITCH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+/- 14 V，漏极... | ||||||
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SI6924AEDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 28V 4.6A 1.3W 33mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+/- 14 V，漏极... | ||||||
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SI6924EDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 28V | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+/- 14 V，漏极连续电流：4.6 A，电... | ||||||
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SI6925ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 3.9A 0.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6925ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 3.9A 1.13W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6925DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：3.4 A，电... | ||||||
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SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 29,763 | MOSFET DUAL N-CH 2.5V (G-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | 18,482 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI6926AEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5A 0.83W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 14 V，漏极... | ||||||
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