Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF9Z24STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 50V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 136 | MOSFET P-Chan 50V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 1,832 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,013 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 8,117 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 408 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFB11N50A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 500V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB11N50APBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 500V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB13N50A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB13N50APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,342 | MOSFET N-Chan 500V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB16N50K | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB16N50KPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB16N60L | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB16N60LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB17N50L | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 500V 16 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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