Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF840 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF840A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
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IRF840AL | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840ALPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | 495 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 18,624 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840AS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840ASPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 3,082 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840ASTRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840ASTRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 777 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840BPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 5,918 | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：85... | ||||||
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IRF840L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF840LC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840LCL | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840LCLPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | 1,999 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 8,193 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840LCS | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840LCSPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF840LCSTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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