Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIB457EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | 20,952 | MOSFET -20V 35mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电... | ||||||
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SIB488DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 12V 9A N-CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.01... | ||||||
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SIB800EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SIB900EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 双 | MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 6 V，漏极连... | ||||||
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SIB911DK-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 双 | MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB911DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 双 | MOSFET 20V 2.6A 3.1W 295mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB912DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 双 | MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SIB914DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 双 | MOSFET 8.0V 1.5A 3.1W 113mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
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SIE726DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 80A 125W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE726DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 175A 125W 2.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE800DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE800DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE802DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE802DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE804DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（LH） | MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SIE804DF-GE3，... | ||||||
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SIE806DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE806DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SIE808DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE808DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 220A 125W 1.6mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIE810DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 60A 125W 1.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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