Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI7923DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 1,424 | MOSFET DUAL P-CH 30V (D-S) | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7923DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 39,630 | MOSFET 30V 6.4A 2.8W 47mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7925DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 12V 6.5A 1.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7925DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7938DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7940DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 12V 11.8A 0.017Ohm | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7940DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET Dual P-Ch 12V 17mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI7941DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 9.0A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7941DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 9.0A 1.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7942DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 100V N-CH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7942DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 100V N-CH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7942DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7945DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL P-CH 30V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7945DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET Dual P-Ch 30V 20mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7946DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7946DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 150V 3.3A 3.5W 150mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7948DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | 920 | MOSFET 60V 4.6A 0.075Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7948DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET Dual N-Ch 60V 75mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7949DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL P-CH 60V (D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI7949DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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