NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7626-100B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
BUK7626-100B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,248 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
BUK7628-100A /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
BUK7628-100A,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 19 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
BUK7628-100A/C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3pin(2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
|
|
BUK7628-55A /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK7628-55A,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK762R0-40C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
|
|
BUK762R4-60E,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
|
|
BUK762R6-40E,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.9 m... | ||||||
|
|
BUK762R7-30B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK762R7-30B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 19 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK7631-100E,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：34 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：84 mO... | ||||||
|
|
BUK7635-100A /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
BUK7635-100A,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
BUK7635-55A /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK7635-55A,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK763R1-40B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
BUK763R1-40B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
BUK763R4-30,118 | NXP Semiconductors | - | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 198A 3pin(2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
61/82 首页 上页 [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] 下页 尾页
