NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BUK654R0-75C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 75V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK654R6-55C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 55V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK654R8-40C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 40V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK655R0-75C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 75V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6607-55C,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 699 | MOSFET N-CHAN 55V 100A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6607-75C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 75V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6610-75C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 75V 78A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：78 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK661R6-30C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 1 | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
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BUK661R8-30C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 30V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK661R9-40C,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,635 | MOSFET N-CHAN 40V 120A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK662R4-40C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
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BUK662R5-30C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK662R7-55C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 55V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK663R2-40C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 40V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK663R5-30C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK663R5-55C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 55V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK663R7-75C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 75V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK664R4-55C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHAN 55V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK664R6-40C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
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BUK664R8-75C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：800，... | ||||||
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