NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BUK6218-40C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CHAN 40V 42A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：42 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK6226-75C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CHAN 75V 33A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：33 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK6228-55C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CHAN 55V 31A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：31 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK6240-75C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CHAN 75V 22A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK6246-75C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-Chan 75V 22A 60W | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK624R5-30C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CHAN 30V 90A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK625R0-40C,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CHAN 40V 90A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK6507-55C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 55V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6507-75C,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-CHAN 75V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK6510-75C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 75V 77A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/... | ||||||
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BUK652R0-30C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 30V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK652R1-30C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BUK652R3-40C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 40V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK652R6-40C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 40V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK652R7-30C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK653R2-55C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 55V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK653R3-30C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-Chan 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK653R4-40C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BUK653R5-55C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 55V 120A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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BUK653R7-30C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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