NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BST72A | NXP Semiconductors | SOT-54 | MOSFET BULK MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BST72A,112 | NXP Semiconductors | TO-92-3 | MOSFET BULK MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.19 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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BST82 /T3 | NXP Semiconductors | TO-236AB-3 | MOSFET TRENCH-100 -TAPE 13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BST82 T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
SOT23.jpg)
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BST82,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 76,598 | MOSFET TAPE7 MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BST82,235 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET TRENCH-100 -TAPE 13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BSS83,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | MOSFET N-CH MOSFET 10V 50MA | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|MOSFET|N 通道|-|-|-|50mA|-|-|-|1... | ||||||
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BSS83,235 | NXP Semiconductors | SOT-143B | MOSFET Single N-Channel 10V 50mA | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|MOSFET|N 通道|-|-|-|50mA|-|-|-|10 V|表面贴装型|TO-253-4，TO-253... | ||||||
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BSS84,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 313,578 | MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BSS84AK,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 155 | MOSFET P-CH -50 V -180 mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，漏极连续电流：- 180 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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BSS84AKM,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | 122,085 | MOSFET P-CH -50 V -230 mA 50V 230mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，漏极连续电流：- 230 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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BSS84AKMB,315 | NXP Semiconductors | 3-XFDFN | 142 | MOSFET P-Chan -50V -230mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 230 mA... | ||||||
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BSS84AKS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 137,350 | MOSFET P-CH -50 V -160 mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，漏极连续电流：- 160 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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BSS84AKT,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET P-CH -50 V -150 mA | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，漏极连续电流：- 150 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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BSS84AKV,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | 6,739 | MOSFET P-CH -50 V -170 mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，漏极连续电流：- 170 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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BSS84AKW,115 | NXP Semiconductors | SC-70，SOT-323 | 13,589 | MOSFET P-CH -50 V -150 mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，漏极连续电流：- 150 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
SOT89.jpg)
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BSS87,115 | NXP Semiconductors | TO-243AA | 230,794 | MOSFET N-CH DMOS 200V 0.4A | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BUK100-50GL | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL TOPFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：13.5 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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BUK100-50GL,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET RAIL TOPFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：13.5 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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BUK101-50GL | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL TOPFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：6 V，漏极连续电流：26 ... | ||||||
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