NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLM6G22-30,135 | NXP Semiconductors | 16-HSOPF | MOSFET RF Amp Chip Sgl Pwr Amp 2.2GHz 65V 18Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BLM6G22-30G,135 | NXP Semiconductors | 16-HSOP | MOSFET RF Amp Chip Sgl Pwr Amp 2.2GHz 65V 18Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BSH103 /T3 | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
SOT23.jpg)
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BSH103,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 321,264 | MOSFET N-CH 30V 0.85A | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH103,235 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21,185 | MOSFET TAPE13 MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH105 /T3 | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH105 T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH105,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 486,396 | MOSFET TAPE7 MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH105,235 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 32,293 | MOSFET TAPE13 MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH108 T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE7 PWR-MO | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BSH108,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 127,557 | MOSFET TAPE7 PWR-MO | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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BSH111 /T3 | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
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BSH111,215 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
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BSH111,235 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
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BSH112,235 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET TAPE13 PWR-MO | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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BSH114 T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE7 PWR-MO | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BSH114,215 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET TAPE7 PWR-MO | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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BSH121 /T3 | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
SOT323.jpg)
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BSH121,135 | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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BSH201 T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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