NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV213SN T/R | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续... | ||||||
SOT23.jpg)
|
PMV213SN,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 344,565 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续... | ||||||
|
PMV22EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET Small Signal MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.2 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
|
PMV28UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH 20 V 3.3 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：3.3 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mO... | ||||||
|
|
PMV30UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
PMV30XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH 20 V 3.2 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：3.2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mO... | ||||||
|
|
PMV31XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
|
PMV32UP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2,924 | MOSFET P-CH -20 V -4 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 ... | ||||||
|
|
PMV37EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH 30 V 3.1 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：3.1 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 mO... | ||||||
|
|
PMV40UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
PMV45EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMV48XP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 5,273 | MOSFET P-CH -20 V -3.5 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 3.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5... | ||||||
|
|
PMV56XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
PMV56XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET LOW LEVEL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
PMV60EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMV65XP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 136,815 | MOSFET P-CH TRENCH 20V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
|
PMWD15UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET PMWD15UN/TSSOP8/REEL13DP// | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：11.6 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
PMWD16UN /T3 | NXP Semiconductors | TSSOP-8 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PMWD16UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
|
|
PMWD19UN /T3 | NXP Semiconductors | TSSOP-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
35/82 首页 上页 [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] 下页 尾页
