NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMN55LN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR280UN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
SOT416.jpg)
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PMR280UN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMR290UNE,115 | NXP Semiconductors | SC-75，SOT-416 | MOSFET 20V 700 MA N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：700 mA，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PMR290XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR290XN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR370XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR370XN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR400UN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMR400UN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMR670UPE,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET 20V 480 MA P-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：- 480 mA，电阻汲极... | ||||||
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PMR780SN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR780SN,115 | NXP Semiconductors | SC-75，SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET Dual P-Channel 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，电阻汲极/源极 RDS（导通）：150 mOhms，配置：Dual，安装风格：SMD/SMT，封装... | ||||||
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PMDPB70EN,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET N-Chan 30V 4.5A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.5 A，电阻汲极... | ||||||
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PMDPB70XP,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | 3,000 | MOSFET P-Chan -30V -3.8A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 3.8 A，... | ||||||
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PMDT290UCE,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | 6,805 | MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V, - 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：8... | ||||||
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PMDT290UNE,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | 170,559 | MOSFET 20V 800 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：800 mA，电阻汲极... | ||||||
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PMDT670UPE,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | 8,390 | MOSFET 20V 550 MA DUAL P-CH TRENCH MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：4000，... | ||||||
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PMF170XP,115 | NXP Semiconductors | SC-70，SOT-323 | 386,086 | MOSFET P-CH -20 V -1 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 1 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：200... | ||||||
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