NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN9R5-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET N-CH 100V 9.6 MOHMS STD LVL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：31.3 A，电阻... | ||||||
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PSMN9R5-30YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | 9,906 | MOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：44 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN9R8-30MLC,115 | NXP Semiconductors | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） | MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33 | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：1.95 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMNR90-30BL,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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PMN20EN,115 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET Small Signal MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：6.7 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PMN23UN /T2 | NXP Semiconductors | TSOP-6 | MOSFET TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN23UN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN23UN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN23UN,165 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TRENCH 30V G3-TAPE2 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN25EN,115 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.2 A，电阻汲极... | ||||||
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PMN25UN,115 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET 20V 6 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PMN27UN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN27UN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN27UP,115 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET P-CH -20 V -5.7 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 5.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3... | ||||||
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PMN28UN /T2 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN28UN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN28UN,135 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN28UN,165 | NXP Semiconductors | SC-74，SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN34LN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMN34LN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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