NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN040-200W,127 | NXP Semiconductors | TO-247-3 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
PSMN045-80YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHAN 80V 17A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/... | ||||||
|
PSMN050-80BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：73 V，闸/源击穿电压：5.2 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
PSMN050-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CH 80V 50 mOhm Standard MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：22 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
PSMN057-200B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
PSMN057-200P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET TRENCH-200 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
PSMN057-200P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET TRENCH-200 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
PSMN059-150Y,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：43 A，电阻汲极... | ||||||
|
PSMN063-150D /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
SOT428.JPG)
|
PSMN063-150D,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
PSMN069-100YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Single NChannel 100V 68A 56W 130mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：130 mO... | ||||||
|
PSMN070-200B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
PSMN070-200B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
PSMN070-200P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
PSMN085-150K /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
PSMN085-150K,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
PSMN0R9-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21.5 A，... | ||||||
|
|
PSMN130-200D,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CH TRENCH 200V 20A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
22/82 首页 上页 [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] 下页 尾页
