NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN027-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,597 | MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：4.9 V，漏极连续电流：37 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN027-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：37 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN027-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-CH 100V 26.8 MOHMS STD LVL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：23.4 A，电阻... | ||||||
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PSMN028-100YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,500 | MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：42 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN030-150B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN030-150B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN030-150P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN030-150P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN030-60YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Single N-Channel 60V 116A 56W 49.6mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：54 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：49.6 m... | ||||||
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PSMN034-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100 V 34.5 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：4.4 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN034-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 10 | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN035-100LS,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 100V 27A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：27 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN035-150B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN035-150B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN035-150P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN038-100K /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN038-100K,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN039-100YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Single NChannel 100V 112A 74W 71mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：71 mOh... | ||||||
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PSMN040-200W | NXP Semiconductors | TO-247 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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