NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN012-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CH 80V 11 mOhm Standard MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：74 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PSMN013-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 725 | MOSFET Std N-chanMOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：68 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN013-100ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET Single NChannel 100V 272A 170W 30mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOh... | ||||||
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PSMN013-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 2,532 | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：68 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN013-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET N-ch 100V 13mA MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24.9 A，电阻... | ||||||
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PSMN013-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 21A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN013-30MLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK33 | 97 | MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33 | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：27 V，闸/源击穿电压：1.95 V，漏极连续电流：39 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN013-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30 V 13.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：16.9 m... | ||||||
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PSMN013-80YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 80V 12.9 mOhm Standard MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PSMN014-40YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHAN 40V 32A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN014-60LS,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 40V 46A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：46 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN015-100B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-100B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,982 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-100P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-100P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 4,830 | MOSFET RAIL PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-110P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-110P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-60BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,235 | MOSFET N-CH 60 V 14.8 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PSMN015-60PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,909 | MOSFET Single N-Channel 60V 201A 86W 34mOhms | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN016-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 16 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：4.5 V，漏极连续电流：57 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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