NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN008-75B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,371 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN008-75P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN008-75P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN009-100B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN009-100B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN009-100P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN009-100P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN009-100W | NXP Semiconductors | TO-247 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN009-100W,127 | NXP Semiconductors | TO-247-3 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN010-100YS,115 | NXP Semiconductors | MOSFET MOSFET N-CH 100V SPAK | |||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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PSMN010-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 25 V 10.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：22.5 V，漏极连续电流：39 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.6... | ||||||
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PSMN010-55D /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
SOT428.JPG)
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PSMN010-55D,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN011-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V Trench MOS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：36 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.7 m... | ||||||
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PSMN011-30YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | 13,131 | MOSFET N-CH 30 V 11.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：37 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN011-80YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHAN 80V 47A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：47 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN012-100YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN012-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 25 V 12.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：33 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN012-60YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：59 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN012-80BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 80 V 11MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：73 V，闸/源击穿电压：1 V，漏极连续电流：74 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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