NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PH2030AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET 30V LFPAK MOSFET for computing APPS | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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PH2925U,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH TRENCH 25V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3030AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET 30V N-CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOh... | ||||||
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PH3075L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3075L,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3120L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH2520U,115 | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET N-CH TRENCH 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连续电流：10... | ||||||
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PH2525L T/R | NXP Semiconductors | LFPAK | MOSFET TRENCH G4- TAPE 7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH2525L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET TRENCH G4- TAPE 7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH2530AL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET PH2530AL/LFPAK/REEL7 | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 m... | ||||||
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PH2530L,115 | NXP Semiconductors | MOSFET PH2530L/LFPAK/REEL7// | |||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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PH2625L,115 | NXP Semiconductors | SOT-669 | 1234 | MOSFET N-CH TRENCH 25V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3330L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3330L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET TRENCH-3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3430AL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET PH3430AL/LFPAK/REEL7 | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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PH3830L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH3855L T/R | NXP Semiconductors | SOT-669 | MOSFET N-CH TRENCH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：24 A，... | ||||||
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PH3855L,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH TRENCH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PH4025L T/R | NXP Semiconductors | LFPAK | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PH4025L,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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