International Rectifier
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF1010NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 6,226 | MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1010NSTRRPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1010ZLPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1010ZPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 123 | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1010ZSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1010ZSTRLPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1010ZSTRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 55V SINGLE N-CH HEXFET PWR MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF1018EPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 4,089 | MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1018ESLPBF | International Rectifier | TO-262 | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1018ESPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1018ESTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 5,603 | MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1104PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 11,092 | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1310NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF1310NSPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF1310NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF1312PBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1324LPBF | International Rectifier | TO-262 | MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1324PBF | International Rectifier | TO-220AB | 1,362 | MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1324S-7PPBF | International Rectifier | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB | MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF1324SPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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