International Rectifier
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH7936TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
IRFH8318TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 30V 50A 3.1mOhm 21nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
IRFH8318TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFH8324TR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6） | 92 | MOSFET MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
IRFH8324TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | 6,217 | MOSFET 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFH8325TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 999A SO-8 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
|
IRFH8325TRPBF | International Rectifier | PQFN（5x6） | 21 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFH8330TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
|
IRFH8330TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
IRFH8334TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 999A SO-8 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
IRFH8334TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | 14,194 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFH8337TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
|
IRFH8337TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
|
IRFH9310TR2PBF | International Rectifier | PQFN | 854 | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -40A 4.6mOhm -4.5V capble | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，漏极连续电流：- 21 ... | ||||||
|
IRFH9310TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
|
IRFHM4226TRPBF | International Rectifier | 8-TQFN 裸露焊盘 | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
IRFHM4231TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
IRFHM4234TRPBF | International Rectifier | 8-TQFN 裸露焊盘 | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
IRFHM792TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN 双（3.3x3.3） | MOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
|
IRFHM792TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 | MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
103/126 首页 上页 [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] 下页 尾页
