Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA65R190CFD | Infineon Technologies | TO-220FP | 319 | MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：17.5 A，电... | ||||||
|
IPA65R280C6 | Infineon Technologies | TO-220-FP-3 | 437 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13.8... | ||||||
|
|
IPA65R280E6 | Infineon Technologies | TO-220FP | 394 | MOSFET N-CH 700V 13.8A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13.8 A，电... | ||||||
|
IPA65R380E6 | Infineon Technologies | TO-220FP | 687 | MOSFET N-CH 700V 10.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：10.6 A，电... | ||||||
|
|
IPA65R420CFD | Infineon Technologies | TO-220FP | 490 | MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.7 A，电阻... | ||||||
|
|
IPA65R600C6 | Infineon Technologies | TO-220-FP-3 | 315 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.3 ... | ||||||
|
|
IPA65R600E6 | Infineon Technologies | TO-220FP | 762 | MOSFET N-CH 700V 7.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.3 A，电阻... | ||||||
|
IPA90R1K0C3 | Infineon Technologies | TO-220FP | 870 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPA90R1K2C3 | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET COOL MOS N-CHANNEL 900V 5.1A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPA90R340C3 | Infineon Technologies | TO-220FP | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 900V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V... | ||||||
|
|
IPA90R500C3 | Infineon Technologies | TO-220FP | 179 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPA90R800C3 | Infineon Technologies | TO-220FP | 930 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
IPS031N03L G | Infineon Technologies | PG-TO251-3-11 | MOSFET N-CH 30 V 90 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPS03N03LAG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPS03N03LBG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPS040N03L G | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-CH 30V 90A 4mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPS04N03LAG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPS04N03LBG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPS050N03L G | Infineon Technologies | TO-251 | 1500 | MOSFET N-CH 30V 90A 4mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，... | ||||||
|
|
IPS05N03LAG | Infineon Technologies | TO-251 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
97/305 首页 上页 [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] 下页 尾页
