Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPP70N10SL16 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源... | ||||||
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IPP70N10SL-16 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP70P04P4-09 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -70A | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，零件号别名：IPP70P04P409AKSA1 IPP70P04P409XK SP000735978... | ||||||
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IPP77N06S212 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP77N06S2-12 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 77A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP77N06S3-09 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 55V 77A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP80CN10N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 2 Power TRANSISTOR 100V 13A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP80CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 300 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲... | ||||||
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IPP80N03S4L03 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP80N03S4L-03 | Infineon Technologies | TO-220AB | 434 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPP80N03S4L04 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP80N03S4L-04 | Infineon Technologies | TO-220AB | 251 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPP80N04S204 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP80N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP80N04S2H4 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP80N04S2-H4 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP80N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP80N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-220AB | 116 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP80N04S303 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：80 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPP80N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-220AB | 382 | MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A 3.2 | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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